Интервью со звездами

Метод обнаружения переноса заряда автоэлектронной эмиссией

Эксперимент с разделением пленок не позволяет обнаружить перенос заряда автоэлектронной эмиссией при очень малых воздушных зазорах, когда диэлектрические поверхности находятся в контакте. Однако, изменив несколько методику эксперимента, можно обнаружить перенос заряда и в этом случае. Для этого начальные этапы эксперимента оставляют без изменения, т. е. две диэлектрические поверхности совмещаются, а часть поверхности нижнего диэлектрика предварительно заряжается. Затем эксперимент осуществляется в три этапа: 1) с помощью ключа А к двум диэлектрическим поверхностям, находящимся в контакте, подводится напряжение (ключ А замкнут); 2) размыкая ключ А, снимают приложенное напряжение и с помощью ключа В закорачивают токопроводящие электроды; 3) при закороченных электродах отделяют диэлектрические поверхности друг от друга. Рассмотрим процессы, протекающие на каждом из этих этапов. Предположим, что начальный заряд, созданный на нижней диэлектрической поверхности, имеет положительную полярность, а направление приложенного напряжения подобрано так, что положительный полюс подсоединен к нижнему электроду. Предположим также, что пока две диэлектрические поверхности находятся в виртуальном контакте, величина очень малого воздушного зазора остается, по существу, постоянной. Величину зазора обозначим через zc. Окончательная величина заряда, перенесенного на диэлектрические поверхности, равна разности между величиной начального заряда, перенесенного на этапе 1, и величинами зарядов противоположного знака, перенесенных на этапах 2 и 3. Таким образом, окончательный заряд будет равен Рассмотрим сначала процесс переноса зарядов в тех участках, где на нижней диэлектрической поверхности начального заряда не было (Vc = 0). Начиная с этой точки, перенос зарядов, согласно выражению (141), прямо пропорционален приложенному напряжению до некоторой точки А. Если минимальное эффективное приложенное напряжение, описываемое выражением (145), больше минимального пробивного напряжения для соответствующего участка кривой Пашена, то обратный перенос происходит и на этапе 3 до точки С — Если же напряжение меньше минимального, то при разделении поверхностей обратного переноса не возникает, т. е. в этом случае величина at3 = 0. Окончательный график зависимости переноса зарядов на верхний диэлектрик от приложенного напряжения в этом случае представляется ломаной DEF. Если же на этапе 3 происходит дополнительный обратный перенос зарядов, кривая пройдет через точки D, G,H. В частности, если на этапе 1 приложено напряжение, достаточное для достижения точки А, то при наличии обратного переноса зарядов на этапе 2 уменьшение заряда на поверхности верхнего диэлектрика будет представлено переходом от точки А к точке В. На этапе 3 будет наблюдаться дальнейшее уменьшение заряда от В до С, если ots не равно нулю.

Комментарии запрещены.

Здоровье всей семьи

Мода и стиль