«PETTREE» - женский журнал

Исследования показали, что сдвиг электронов может быть увеличен, а сдвиг дырок может быть уменьшен соответствующим легированием аморфного селена. Это свойство очень важно для разработки высокочувствительных многослойных пластин селена. В работе обнаружено, что легирование аморфного селена железом приводит к заполнению электронных ловушек, обеспечивая, таким образом, довольно большой сдвиг электронов. При этом было предположено, что атомы мышьяка служат поперечными звеньями цепей атомов селена; это ограничивает концы цепи и позволяет не рассматривать глубокие электронные ловушки. Были проведены эксперименты с добавками разных элементов и составов в малых количествах (обычно меньше 0,1%). Селеновые слои, легированные этими материалами, приготавливались в виде ксерографических пластин напылением в вакууме. Толщина слоев составляла 40-50 мк. Были исследованы следующие примусные материалы: Те, Sb, В, Ge, Tl, PbSe, As, CuO, Cd, Pb, BiCl3, Sb2S3, Bi2S3, Zn, CdSe, S и FeSe04. В некоторых случаях количество материала, включенного в слой селена, не могло быть точно определено из-за того, что не достигалось полного сплавления. Однако вполне вероятно, что при использовании этого метода действительно содержащиеся в слоях селена количества примесей были значительно меньше 1%. Исключения составляли сера, теллур и таллий, которые полностью сплавлялись. В большинстве случаев образцы, содержащие менее 10% добавляемого материала, имели кривые чувствительности для положительного поверхностного заряда, по существу аналогичные кривым для контрольного образца селена. Таллий оказался исключением. Слои селена, содержащие таллий в количествах 0,05% и более, не обладают чувствительностью к свету в области 400-700 ммк. Остаточные потенциалы были примерно те же, что и для исходного селена. Темновые спады происходили медленнее, чем для контрольного образца, причем пластины содержались в темноте в течение 8 час перед проверкой. Однако при освещении испытываемых пластин рассеянным светом перед измерениями темновые спады протекали быстрее, чем для исходного селена. Это указывает на заметную величину «усталости» легированных образцов, которая в свою очередь говорит о вероятности того, что легирование создает мелкие «лову-шечные» уровни. В этом случае освещение перед проверкой могло быть причиной устойчивой проводимости, объясняющей более быстрый темновой спад. Добавки мышьяка и теллура в количестве 1,0% и более увеличивают чувствительность и расширяют спектральную характеристику в длинноволновую сторону. К сожалению, в этих экспериментах не проводились измерения с отрицательным поверхностным зарядом. Следовательно, делать какие-либо выводы из данных относительно влияния легирования на электронные ловушки или сдвиг электрона в слоях селена пока еще нельзя. ?